[toc] SiC MOSFET 的“栅极体检报告”：平面和沟槽，谁的氧化层更靠得住？导语碳化硅（SiC）MOSFET 的栅极氧化层可靠性，一直是它能否在高压电力电子中替代硅（Si）器件的关键问题。英飞凌团队在一项系统性研究中，对平面和沟槽两种 SiC MOSFET 进行了 TDDB（时间相 ...

[toc] 把 GaN HEMT 的“陷阱信号”拆开：一个能同时看清界面态和缓冲层态的紧凑模型导语AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）中的陷阱效应，一直是制约其可靠性的核心难题。陷阱分布在表面、界面、势垒和缓冲层等多个位置，传统 C–V 方法难以把界面陷阱和缓冲层陷阱 ...

[toc] 把电子-声子相互作用压缩 100 倍：SVD 揭示隐藏的低维本质导语第一性原理计算电子-声子（electron-phonon, e-ph）相互作用时，通常要处理包含数百万甚至数十亿元素的巨型矩阵。加州理工学院 Marco Bernardi 团队在 Physical Review ...

[toc] 当石墨烯“扭”出千倍电阻：一种能算动5000原子的新方法导语扭角双层石墨烯（Twisted Bilayer Graphene, TBG）是近年来凝聚态物理最炙手可热的体系之一。当两层石墨烯以特定角度堆叠，会涌现出超导、奇异金属等奇妙现象。但要定量预测其电子输运性质，计算量却大到让 ...

[toc] 20 kV 碳化硅功率器件的“选型地图”：当物理仿真遇上机器学习导语在超高压电力电子领域，碳化硅（SiC）MOSFET 和 IGBT 之间的选择一直缺乏清晰的边界。剑桥大学 Nazareno Donato 博士的一项预印本研究，用超过 2000 次有限元器件仿真构建了一套自洽电热 ...

[toc] 室温算得准，高温却慢了半拍：SiC IGBT 开关模型漏掉了什么？同一只碳化硅 IGBT，室温下的开关波形与模型预测相当接近；升温后，实测器件却明显更晚关断。Matsuura 等人发现，问题不能只靠修改碳化硅的材料参数解决：栅氧界面的载流子陷阱影响关断时机，基区载流子寿命则影响关 ...

[toc] 给热量搭一座“纳米桥”：1 nm 过渡层如何改善 GaN/SiC 散热？高功率氮化镓器件发热时，热量需要穿过材料界面，才能进入下方的碳化硅衬底。最新一项计算研究发现：在两者之间加入约 1 nm 的富铝合金层，模拟得到的界面热导提高了约 **71%**。有趣的是，一层极薄 ...

[toc] 超薄非晶半导体，如何跑进10 GHz功率放大器？ 论文速览：Hu, Q., Zhu, S., Zhu, Y. et al. Amorphous indium tin oxide transistors for power amplification above 10 GHz. N ...

[toc] DOI 10.1038/s41928-026-01691-4，这篇发表于《Nature Electronics》的研究论文。该研究由瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）的团队完成，提出了一种名为本征极化超结（iPSJ） 的新技术，用于开发高性能的氮化镓（GaN）功率器件。 一、研究 ...

[toc] PERTURBO 教程Quantum Espresso to Perturbo1. 自洽SCF计算12cd perturbo-examples-light/example01-silicon-qe2pert/pw-ph-wann/scfmpirun -np 4 pw.x -i s ...